سامسونگ از نقشه راه خود برای تولید نیمه‌هادی‌ها با فرآیند ۴ نانومتری پرده برداشت

سامسونگ یکی از بزرگترین بازیکنان در صنعت نیمه‌هادی‌ها محسوب می‌شود، بنابراین اعلام نقشه راه این غول تکنولوژی کره‌ای برای بسیاری از فعالان این صنعت مهم است. این شرکت اعلام نموده که به‌دنبال ارائه فرآیند تولید ۴ نانومتری برای دستگاه‌های هوشمند و نوع جدیدی از فرآیند ۱۸ نانو‌متری برای دستگاه‌های مربوط به اینترنت اشیا است.

نیمه‌هادی

سامسونگ در مراسم سالانه خود موسوم به “Foundry Forum 2017” اعلام نمود که پیش از فرآیند EUV ( لیتوگرافی به‌وسیله اشعه ماورا بنفش)، فرآیند تولید ۸ نانومتری LPP را دنبال خواهد کرد. فرآیند ۷ نانومتری اولین لیتوگرافی به‌وسیله اشعه ماورا بنفش محسوب می‌شود که هم‌اکنون با همکاری شرکت هلندی ASML درحال توسعه است.

تولید نیمه‌هادی‌ها توسط فرآیند ۷ نانومتری یک حرکت بسیار بزرگ محسوب می‌شود، چراکه موانع مربوط به قانون مور را خواهد شکست. این نوآوری راه را برای فرآیندهای ۵LPP، ۶LLP و ۴LPP فراهم می‌کند.

نیمه‌هادی

۴LPP باعث پیاده‌سازی نسل بعدی معماری، MBCFET، برای اولین‌بار می‌شود. این معماری باعث کاهش اندازه شده و بهبود عملکرد را در مقایسه با ساختار FinFET در پی دارد.

سامسونگ همچنین اعلام نمود که درحال توسعه فرآیند ۱۸ نانومتری FD-SOI بوده که قدرت دستگاه‌های مربوط به اینترنت اشیا را تامین خواهد کرد. این فناوری در مقایسه با لیتوگرافی ۲۸ نانومتری FDS دارای مصرف بهینه‌تر انرژی و عملکرد بهتری است.

منبع: itresan

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

شما می‌توانید از این دستورات HTML استفاده کنید: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>